[发明专利]一种单晶掺镓背钝化太阳电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种单晶掺镓背钝化太阳电池及制备方法。单晶掺镓包括：掺杂有镓元素的单晶掺镓硅基底，以及在其上的发射极和背表面场，置于发射极表面的钝化及减反射正面减反射膜/钝化膜和置于基底背表面的背面钝化膜，置于正面减反射膜/钝化膜表面的导电材料组成的正面电极，置于背面钝化膜表面的导电材料组成的背面电极。其制备方法，包括：在掺镓的硅片上完成表面织构化，发射极制备，绝缘处理，正表面钝化减反射膜及背表面钝化膜制备，背面钝化膜局域开膜以及金属化过程。

主权项

一种单晶掺镓背钝化太阳电池，其特征在于，由正面至背面依次包括：正面电极(6)、正面减反射膜/钝化膜(3)、发射极(2)、单晶掺镓硅基底(1)、背面钝化膜(4)和背面电极；所述的背面电极包括铝电极(5)和背面银电极(7)。