[发明专利]图像传感器及形成图像传感器的方法在审
| 申请号： | 201810086094.7 | 申请日： | 2018-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN108281446A | 公开（公告）日： | 2018-07-13 |
| 发明（设计）人： | 吕相南;北村阳介;黄晓橹 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 田菁 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及一种图像传感器，包括：半导体衬底，所述半导体衬底中形成有各像素单元的光电二极管和浮置扩散区；第一晶体管层，所述第一晶体管层位于所述半导体衬底之上，所述第一晶体管层中形成有第一晶体管的栅极，所述第一晶体管的栅极用于控制将所述光电二极管中的电荷传输到所述浮置扩散区中；以及第二晶体管层，所述第二晶体管层位于所述第一晶体管层之上，所述第二晶体管层中形成有第二晶体管，其中，所述第一晶体管层与所述第二晶体管层为不同的层。本公开还涉及一种形成图像传感器的方法。本公开能够提高光电二极管的填充率。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管层 图像传感器 光电二极管 晶体管 衬底 半导体 浮置扩散区 电荷传输 像素单元 填充率 | ||
【主权项】：
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底中形成有各像素单元的光电二极管和浮置扩散区；第一晶体管层，所述第一晶体管层位于所述半导体衬底之上，所述第一晶体管层中形成有第一晶体管的栅极，所述第一晶体管的栅极用于控制将所述光电二极管中的电荷传输到所述浮置扩散区中；以及第二晶体管层，所述第二晶体管层位于所述第一晶体管层之上，所述第二晶体管层中形成有第二晶体管，其中，所述第一晶体管层与所述第二晶体管层为不同的层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
