[发明专利]一种基于硅十字架二聚体的单向性光学纳米天线

摘要

本发明涉及一种光学纳米天线，具体涉及一种基于硅十字架二聚体的单向性光学纳米天线，包括两个对称分布的十字架，十字架的材质为硅，两个十字架之间的距离D为5 nm；十字架的截面尺寸L1为200nm，L2为150 nm，W1为60nm，W2为90nm，其高度H为90 nm。这种结构会激发出不同的表面等离子体共振模式：电偶极、电四极共振和磁偶极、磁四极共振；通过多级分解的方法，分析了纳米天线中不同共振模式的响应对散射特性的影响，这些共振模式的耦合作用导致了高介电材料硅十字架二聚体结构磁热点的产生和远场单向性散射；还论证了在电、磁偶极源辐射下对纳米天线不同共振模式响应特性的影响并有一定的调制作用。

主权项

1.一种基于硅十字架二聚体的单向性光学纳米天线，其特征在于：包括两个对称分布的十字架，所述十字架的材质为硅，两个十字架之间的距离D为3‑8 nm；所述十字架的截面尺寸中横杆长度L1为180‑230 nm，纵杆长度L2为130‑170 nm，横杆宽度W1为45‑70nm，纵杆宽度W2为75‑115nm，厚度H为70‑110 nm。