[发明专利]一种用于激发少模光纤高阶模式的光栅耦合器有效
| 申请号： | 201810088168.0 | 申请日： | 2018-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN108490539B | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 张林;张猛 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | G02B6/124 | 分类号： | G02B6/124;G02B6/14;G02B6/26;G02B6/293;G02B6/30 |
| 代理公司： | 12201 天津市北洋有限责任专利代理事务所 | 代理人： | 李丽萍<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于激发少模光纤高阶模式的光栅耦合器，包括SOI基底，SOI基底的上面是波导芯层，波导芯层具有多个刻槽，按照光栅耦合器能激发少模光纤中的LP11a模式、LP11b模式和LP21b模式，刻槽的布局是沿着光传播方向将多个刻槽分为距离为D1的两组或是沿着波导芯层上表面垂直于光传播方向将多个刻槽按照左右两侧分为距离为D2的两组或是综合上述两种刻槽的分布，其中D1和D2均使得光栅耦合器衍射出来的光场的相位差为π。本发明光栅耦合器用于实现激发少模光纤中的LP11a模式、LP11b模式和LP21b模式，在刻槽形成过程中只需要进行一次电子束刻蚀即可实现，大大减少了加工的复杂性，易于加工制造。 | ||
| 搜索关键词： | 刻槽 光栅耦合器 少模光纤 波导芯层 激发 光传播方向 高阶模式 基底 两组 次电子束 左右两侧 上表面 相位差 光场 刻蚀 衍射 加工 垂直 制造 | ||
【主权项】：
1.一种用于激发少模光纤高阶模式的光栅耦合器，包括SOI基底，所述SOI基底的上面是波导芯层，所述SOI基底的氧化层厚度为2微米，所述波导芯层具有多个刻槽，其特征在于，/n沿着光传播方向将多个刻槽分为两组，其中，将前若干个刻槽记为第一组刻槽，剩下的刻槽记为第二组刻槽，所述第一组刻槽和第二组刻槽之间距离为D1，该距离D1使得第一组刻槽和第二组刻槽衍射出来的光场的相位差为π；从而激发少模光纤中的LP11a模式。/n
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