[发明专利]SiC晶片的生成方法

摘要

提供SiC晶片的生成方法，其能够高效地将晶片从单晶SiC晶锭剥离。一种SiC晶片的生成方法，其包括下述工序：剥离层形成工序，将对于单晶SiC具有透过性的波长的激光光线(LB)的聚光点(FP)定位在距离晶锭(2)的第一面(4)(端面)相当于要生成的晶片的厚度的深度，对晶锭(2)照射激光光线(LB)，形成剥离层(22)，该剥离层(22)由SiC分离成Si和C的改质部(18)和从改质部(18)起在c面各向同性地形成的裂纹(20)构成；晶片生成工序，将SiC晶锭(2)的生成SiC晶片的那侧浸渍于液体(26)中，与发出具有与晶锭(2)的固有振动频率近似的频率以上的频率的超声波的振动板(30)对置，以剥离层(22)为界面将晶锭(2)的一部分剥离而生成SiC晶片(39)。

主权项

1.一种SiC晶片的生成方法，其从单晶SiC晶锭生成SiC晶片，该单晶SiC晶锭具有c轴和与c轴垂直的c面，该SiC晶片的生成方法具备下述工序：剥离层形成工序，将对于单晶SiC具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位在距离单晶SiC晶锭的端面相当于要生成的SiC晶片的厚度的深度，对单晶SiC晶锭照射激光光线，形成剥离层，该剥离层由SiC分离成Si和C的改质部和从改质部起在c面各向同性地形成的裂纹构成；和晶片生成工序，在实施该剥离层形成工序后，将单晶SiC晶锭的生成SiC晶片的那侧浸渍于液体中，与发出具有与单晶SiC晶锭的固有振动频率近似的频率以上的频率的超声波的振动板对置，以剥离层为界面将单晶SiC晶锭的一部分剥离而生成SiC晶片。