[发明专利]选择性发射极黑硅多晶PERC电池结构的制备方法

摘要

本发明涉及一种选择性发射极黑硅多晶PERC电池结构的制备方法，其特征是，包括以下步骤：（1）在硅片正面形成纳米绒面，背面为抛光面；（2）在硅片的正面扩散形成N型层，去除正面磷硅玻璃和背面pn结；（3）在硅片正面沉积氮化硅减反射膜层，在背面沉积钝化介质层；（4）在硅片背面打点或者打线，印刷银电极和铝浆；（5）低温烧结形成局部铝背场；（6）在硅片正面喷涂磷酸和酒精的混合溶液，使用激光形成重掺杂后的主栅线和副栅线区域；（7）硅片正面浸入电镀溶液，硅片正面在光照条件下进行电镀，电镀后进行退火。本发明克服了丝网印刷难以形成高质量精细栅线及无法保证栅线与选择性发射极精确对准的缺陷，将电极引起的遮蔽和漏电流最小化。

主权项

1.一种选择性发射极黑硅多晶PERC电池结构的制备方法，其特征是，包括以下步骤：（1）在硅片正面形成纳米绒面，硅片背面为抛光面；（2）扩散：在硅片的正面进行磷扩散形成N型层，扩散后表面方块电阻为120‑140Ω/□；（3）去除硅片正面磷硅玻璃和背面pn结；（4）镀膜：在硅片正面沉积氮化硅减反射膜层，在硅片背面沉积AlOx/SiNx叠层钝化介质层；（5）使用激光器在硅片背面打点或者打线，使AlOx/SiNx叠层钝化介质层从硅片表面剥离；（6）丝网印刷：在背面丝网印刷银电极和铝浆；（7）烧结：进行低温烧结使铝浆与激光开窗处的硅反应形成局部铝背场，烧结温度为600‑650℃；（8）喷涂磷酸：在硅片正面均匀喷涂3‑8%的磷酸和酒精的混合溶液，喷涂后使用热氮干燥；（9）激光掺杂：使用激光对硅片正面进行加热，形成主栅线和副栅线；（10）光诱导电镀镍/铜/银电极：将硅片正面浸入电镀溶液，对硅片正面在光照条件下进行电镀，在硅片的正面栅线处沉积镀上金属栅线，硅片表面光照强度15000‑20000lux，镍层厚度1‑2μm，铜层厚度10‑15μm，银层厚度2‑4μm；（11）退火。