[发明专利]图像传感器、形成方法及其工作方法在审
| 申请号： | 201810090965.2 | 申请日： | 2018-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN108565272A | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | 大石周;黄晓橹 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种图像传感器、形成方法及其工作方法，其中，图像传感器包括：基底，所述基底内具有阱区，部分所述阱区内具有光电掺杂区，所述阱区包括第二区以及位于第二区两侧的第一区和第三区，所述第一区和第三区分别与第二区两侧邻接；位于所述第二区阱区表面的第一栅极结构；位于所述第一区阱区表面的第二栅极结构；位于所述第三区阱区内的浮置扩散区，且所述浮置扩散区与第一栅极结构相邻。所述图像传感器能够增大满阱容量的同时，降低成像滞后。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 栅极结构 第一区 浮置扩散区 阱区表面 基底 阱区 掺杂区 邻接 成像 滞后 | ||
【主权项】：
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：基底，所述基底内具有阱区，部分所述阱区内具有光电掺杂区，所述阱区包括第二区以及位于第二区两侧的第一区和第三区，所述第一区和第三区分别与第二区两侧邻接；位于所述第二区阱区表面的第一栅极结构；位于所述第一区阱区表面的第二栅极结构；位于所述第三区阱区内的浮置扩散区，且浮置扩散区与第一栅极结构相邻。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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