[发明专利]一种适于任意电阻类型的低温漂高精度电流源在审

专利信息
申请号: 201810091047.1 申请日: 2018-01-30
公开(公告)号: CN108376010A 公开(公告)日: 2018-08-07
发明(设计)人: 唐顺柏 申请(专利权)人: 深圳市明柏集成电路有限公司
主分类号: G05F1/565 分类号: G05F1/565
代理公司: 深圳市中科创为专利代理有限公司 44384 代理人: 谭雪婷;高早红
地址: 518000 广东省深圳市宝安*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开一种适于任意电阻类型的低温漂高精度电流源,包括带隙基准电路,产生带隙基准电压;电流源产生电路,产生低温漂电流源;带隙基准电路由MOS管M1、M2、M3和PNP管Q1、Q2及电阻R1、R2、R3组成;电流源产生电路包括MOS管M4;MOS管M4的源极连接电源VCC,MOS管M4的栅极连接MOS管M3的栅极,MOS管M4的漏极产生低温漂电流源Iref。本发明旨在根据带隙基准的原理,把热电压VT和PN节电压VBE,进行任意组合,得到工艺本征电阻相近的温度系数,从而非常方便的得到低温漂的电流源,而且完全不依赖于任意特定温度系数的电阻,同时实现了低温漂的电流源和电压源。
搜索关键词: 低温漂 电流源 电流源产生电路 带隙基准电路 高精度电流源 电阻类型 温度系数 电阻 带隙基准电压 本征电阻 带隙基准 源极连接 栅极连接 电源VCC 电压源 热电压 漏极
【主权项】:
1.一种适于任意电阻类型的低温漂高精度电流源,其特征在于,包括:带隙基准电路,产生带隙基准电压;电流源产生电路,产生低温漂电流源;带隙基准电路由MOS管M1、M2、M3和PNP管Q1、Q2及电阻R1、R2、R3组成;MOS管M1、M2、M3的源极连接电源VCC;MOS管M2的栅极连接MOS管M1的栅极和漏极,MOS管M3的栅极连接MOS管M2的漏极;MOS管M1的漏极连接PNP管Q1的集电极,PNP管Q1的基极与PNP管Q2的基极连接并产生带隙基准电压Vdg;PNP管Q1的发射极通过电阻R2接地;MOS管M2的漏极连接PNP管Q2的集电极,PNP管Q2的基地通过电阻R3接地,PNP管Q2的发射极依次通过电阻R1、R2接地;电流源产生电路包括MOS管M4;MOS管M4的源极连接电源VCC,MOS管M4的栅极连接MOS管M3的栅极,MOS管M4的漏极产生低温漂电流源Iref。
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