[发明专利]N型太阳能电池的制作方法

摘要

本发明公开了一种N型太阳能电池的制作方法，包括：对N型硅衬底进行双面制绒；对该N型硅衬底进行硼扩散以在该N型硅衬底的正面中形成P型掺杂层作为正面发射极；对该N型硅衬底进行背面刻蚀以去除在扩散过程中形成于该N型硅衬底背面的P型掺杂区域；对该N型硅衬底背面进行N型掺杂元素离子注入，形成N型掺杂背场；在该N型硅衬底背面形成氧化层；在该氧化层上形成N型多晶硅层。因为重掺杂背场的存在，金属和硅接触处的复合较小，太阳能电池的开路电压和转换效率得以提高。

主权项

1.一种N型太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：对N型硅衬底进行双面制绒；S2：对该N型硅衬底进行硼扩散以在该N型硅衬底的正面形成P型掺杂层作为正面发射极；S3：对该N型硅衬底进行背面刻蚀以去除在扩散过程中形成于该N型硅衬底背面的P型掺杂区域；S4：对该N型硅衬底背面进行N型掺杂元素离子注入，形成N型掺杂背场；S5：在该N型硅衬底背面形成氧化层；S6：在该氧化层上形成N型多晶硅层；S7：在该N型硅衬底正面和背面形成减反射膜；S8：在该N型硅片正面和背面形成金属电极。