[发明专利]一种制作作为磁性随机存储器顶电极的导电硬掩模的方法

摘要

本发明提供了一种制作作为磁性随机存储器顶电极的导电硬掩模的方法，包括如下步骤：(1)提供表面抛光的带金属通孔的CMOS基底，在基底上沉积底电极和磁性隧道结多层膜、导电硬模层的刻蚀阻挡层、导电硬掩模、导电硬掩模的掩模层；(2)图形化导电硬掩模图案，利用光刻胶/无机抗反射涂层/含碳膜层的三层结构使图案转移到导电硬掩模的掩模层的顶部；(2)以剩下的含碳膜层和导电硬掩模的掩模层为掩模，刻蚀导电硬掩模，并除去含碳膜层和刻蚀带来的导电聚合物。本发明有益效果如下：增加了工艺的可选择行，极大的增加了关键尺寸的可控行，有利电学和良率的提高和器件的小型号化，增加了刻蚀/聚合物清除工艺窗口。

主权项

1.一种制作作为磁性随机存储器顶电极的导电硬掩模的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供表面抛光的带金属通孔的CMOS基底，在所述基底上沉积底电极和磁性隧道结多层膜、导电硬模层的刻蚀阻挡层、导电硬掩模、导电硬掩模的掩模层；步骤二、图形化导电硬掩模图案，利用光刻胶/无机抗反射涂层/含碳膜层的三层结构使所述图案转移到所述导电硬掩模的掩模层的顶部；步骤三、以剩下的所述含碳膜层和所述导电硬掩模的掩模层为掩模，刻蚀所述导电硬掩模，并除去所述含碳膜层和刻蚀带来的导电聚合物。