[发明专利]具有相位补偿的磁传感器位置测量有效
申请号: | 201810092366.4 | 申请日: | 2018-01-31 |
公开(公告)号: | CN108375384B | 公开(公告)日: | 2021-03-30 |
发明(设计)人: | A·里查德;P·J·汤吉;J·施密特;M·杜特 | 申请(专利权)人: | 亚德诺半导体集团 |
主分类号: | G01D5/00 | 分类号: | G01D5/00;G01D5/12 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 周阳君 |
地址: | 百慕大群岛(*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及具有相位补偿的磁传感器位置测量。本公开的各方面涉及校正与角度传感器和包括磁阻元件的多匝传感器相关联的信号之间的相移。处理电路可确定相移校正,并且基于至少相移校正和与多匝传感器相关联的信号来生成位置信息。 | ||
搜索关键词: | 具有 相位 补偿 传感器 位置 测量 | ||
【主权项】:
1.磁传感器系统,包括:包括磁阻传感元件的多匝传感器;角度传感器;和与所述多匝传感器和所述角度传感器通信的处理电路,所述处理电路被配置为:基于所述多匝传感器的输出和所述角度传感器的输出来确定相移校正;和基于所述相移校正和所述多匝传感器的输出生成位置信息。
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