[发明专利]基于厚GEM及多层涂硼网的中子探测器有效
| 申请号： | 201810092884.6 | 申请日： | 2018-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN108037524B | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 谢宇广;吕军光;李更兰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院高能物理研究所 |
| 主分类号： | G01T1/16 | 分类号： | G01T1/16 |
| 代理公司： | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人： | 郭栋梁 |
| 地址： | 100049 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种基于厚GEM及多层涂硼网的中子探测器，包括平行且并排设置的漂移电极和读出电极，漂移电极和读出电极之间平行设置有中子转换体；其中，中子转换体包括至少一层金属网，金属网的表面涂硼，且漂移电极面向读出电极的表面涂硼；中子转换体与漂移电极之间平行设置有厚型气体电子倍增器。本发明的基于厚GEM及多层涂硼网的中子探测器将转换区和倍增区分开，转换区可基于多个涂硼的金属网基底可大大提高中子探测效率，不会浪费昂贵的硼10材料，且倍增区的厚GEM耐用，增益容易控制。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 网涂硼厚 gem 中子 探测器 | ||
【主权项】：
1.一种基于厚GEM及多层涂硼网的中子探测器，其特征在于，包括：平行且并排设置的漂移电极和读出电极，所述漂移电极和所述读出电极之间平行设置有中子转换体，所述中子转换体与所述读出电极之间平行设置有厚型气体电子倍增器；其中，所述中子转换体包括至少一层金属网，所述金属网的表面涂有硼层，且所述漂移电极面向所述读出电极的表面涂有所述硼层。
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