[发明专利]刻蚀设备有效
申请号: | 201810093756.3 | 申请日: | 2018-01-31 |
公开(公告)号: | CN108461420B | 公开(公告)日: | 2020-07-24 |
发明(设计)人: | 董磊磊 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/306 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人: | 孙伟峰 |
地址: | 430070 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种刻蚀设备,包括密封罩、承载板以及多个排气结构,承载板位于密封罩内,多个排气结构环绕承载板设置,每一个排气结构包括排气管道和抽气泵,排气管道包括进气口和出气口,进气口与密封罩连通,出气口与抽气泵连通,排气管道的管壁上设置有多个进气孔,进气孔的气流方向与排气管道的管壁垂直,抽气泵产生的气流方向与排气管道的管壁平行。本发明提出的刻蚀设备的排气管道的管壁上设置有多个进气孔,进气孔中的气流在抽气泵产生的气流的作用下会偏离排气管道的管壁并朝向出气口,从而使得刻蚀制程中产生的微粒不容易沉积在排气管道的管壁上,优化刻蚀环境、提升刻蚀制程的良率、延长设备的维护周期。 | ||
搜索关键词: | 刻蚀 设备 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造