[发明专利]一种提高膜厚均匀性的装置及方法在审
申请号: | 201810093937.6 | 申请日: | 2018-01-31 |
公开(公告)号: | CN108315720A | 公开(公告)日: | 2018-07-24 |
发明(设计)人: | 钟晓兰 | 申请(专利权)人: | 上海集成电路研发中心有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C23C16/505;C23C16/52 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吴世华;尹一凡 |
地址: | 201210 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种提高膜厚均匀性的装置及方法,将PECVD机台双工艺腔体中放置晶圆的加热平台设计成可以程序控速的旋转式平台,通过设置平台的旋转速度,保证晶圆在工艺时间内旋转整数圈,使双腔之间射频重叠的影响对于整片晶圆周边形成一致的效果,使得晶圆周边薄膜分布均匀,不仅消除了射频叠加带来的膜厚突变,而且可利用射频叠加会提高薄膜淀积速率的特性,减少薄膜中心与边缘的膜厚差,从而可使得在整个晶圆范围内的膜厚更加均匀。 | ||
搜索关键词: | 晶圆 射频 膜厚均匀性 膜厚 叠加 机台 旋转式平台 薄膜淀积 薄膜中心 工艺腔体 加热平台 整个晶圆 膜厚差 内旋转 整数圈 双腔 整片 薄膜 突变 保证 | ||
【主权项】:
1.一种提高膜厚均匀性的装置,其特征在于,包括:一具有双工艺腔体的PECVD机台,所述双工艺腔体中的每个工艺腔体分别设有晶圆加热平台和射频发生机构,至少一个工艺腔体的晶圆加热平台为控速旋转式平台;其中,通过所述控速旋转式平台在淀积时间内旋转整数圈,确保两个射频发生机构产生的射频叠加效果对晶圆加热平台上吸附的晶圆内外圈各位置的影响一致,以消除射频叠加带来的晶圆膜厚突变。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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