[发明专利]一种提高膜厚均匀性的装置及方法在审

专利信息
申请号: 201810093937.6 申请日: 2018-01-31
公开(公告)号: CN108315720A 公开(公告)日: 2018-07-24
发明(设计)人: 钟晓兰 申请(专利权)人: 上海集成电路研发中心有限公司
主分类号: C23C16/458 分类号: C23C16/458;C23C16/505;C23C16/52
代理公司: 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 代理人: 吴世华;尹一凡
地址: 201210 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种提高膜厚均匀性的装置及方法,将PECVD机台双工艺腔体中放置晶圆的加热平台设计成可以程序控速的旋转式平台,通过设置平台的旋转速度,保证晶圆在工艺时间内旋转整数圈,使双腔之间射频重叠的影响对于整片晶圆周边形成一致的效果,使得晶圆周边薄膜分布均匀,不仅消除了射频叠加带来的膜厚突变,而且可利用射频叠加会提高薄膜淀积速率的特性,减少薄膜中心与边缘的膜厚差,从而可使得在整个晶圆范围内的膜厚更加均匀。
搜索关键词: 晶圆 射频 膜厚均匀性 膜厚 叠加 机台 旋转式平台 薄膜淀积 薄膜中心 工艺腔体 加热平台 整个晶圆 膜厚差 内旋转 整数圈 双腔 整片 薄膜 突变 保证
【主权项】:
1.一种提高膜厚均匀性的装置,其特征在于,包括:一具有双工艺腔体的PECVD机台,所述双工艺腔体中的每个工艺腔体分别设有晶圆加热平台和射频发生机构,至少一个工艺腔体的晶圆加热平台为控速旋转式平台;其中,通过所述控速旋转式平台在淀积时间内旋转整数圈,确保两个射频发生机构产生的射频叠加效果对晶圆加热平台上吸附的晶圆内外圈各位置的影响一致,以消除射频叠加带来的晶圆膜厚突变。
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