[发明专利]晶圆的切割方法在审
| 申请号： | 201810094214.8 | 申请日： | 2018-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN110098115A | 公开（公告）日： | 2019-08-06 |
| 发明（设计）人： | 金志民 | 申请（专利权）人： | 东莞新科技术研究开发有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/78 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫 |
| 地址： | 523087 *** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的晶圆的切割方法，包括：提供具有相对第一表面和第二表面的晶圆；所述晶圆的所述第二表面上贴附保护胶；在所述第一表面的预定位置上向所述第二表面的方向进行第一次切割形成第一槽体，切割深度小于所述晶圆的整体深度；以及所述第一表面的预定位置上向所述第二表面的方向进行第一次切割形成第一槽体，切割深度小于所述晶圆的整体深度。本发明可减少晶圆在切割时产生的变形、提高半导体良品率并提高切割刀片的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 切割 第二表面 第一表面 预定位置 第一槽 切割刀片 使用寿命 保护胶 良品率 贴附 半导体 变形 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆的切割方法，其特征在于包括：提供具有相对第一表面和第二表面的晶圆；所述晶圆的所述第二表面上贴附保护胶；在所述第一表面的预定位置上向所述第二表面的方向进行第一次切割形成第一槽体，切割深度小于所述晶圆的整体深度；所述第一表面的预定位置上向所述第二表面的方向进行第一次切割形成第一槽体，切割深度小于所述晶圆的整体深度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
