[发明专利]一种通过外加磁场提高PVD管筒状工件镀膜深径比的方法在审
| 申请号： | 201810096527.7 | 申请日： | 2018-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN108277456A | 公开（公告）日： | 2018-07-13 |
| 发明（设计）人： | 刘玉杰 | 申请（专利权）人： | 天津涂冠科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/16;C23C14/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300000 天津市津南*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种通过外加磁场提高PVD管筒状工件镀膜深径比的方法。本发明通过对管筒状通孔工件外端装夹磁场部件，为管筒状工件内部提供磁场，使在PVD多弧离子镀技术下的通孔工件内孔镀膜深径比提高至2倍。在一定程度上增加了工件孔内通镀的可能性，能够有效的提高以内表面为工作面的工件的工作效率及使用寿命，降低因内壁磨损、腐蚀等形式遭到的破坏。打破了多弧离子镀技术在小孔径工件运用时，镀膜深径比为1:1的局限。 | ||
| 搜索关键词： | 深径比 镀膜 管筒状工件 多弧离子镀 外加磁场 磁场部件 工件内孔 工作效率 内壁磨损 使用寿命 筒状通孔 工件孔 小孔径 对管 通孔 外端 装夹 磁场 腐蚀 局限 | ||
【主权项】：
1.一种通过外加磁场提高PVD管筒状工件镀膜深径比的方法，其特征在于：包括如下步骤：1)预处理：将工件内外表面清洗干净，去除油污，脱去氧化膜；根据工件尺寸合理装夹磁场部件，检测磁场无误后放入工作腔体内，工件内孔正对靶位，靶基距28‑30mm；抽真空，升温；2)生成基础膜层：本底真空抽至8.0×10‑3Pa以下，腔室温度升至200℃。通入Ar，直流偏压设定为200V；启动Cr弧靶，在工件内外表面沉积Cr基础膜层，沉积时间30s；3)生成功能膜层：关闭Ar和Cr弧靶，通入N2(流量为500sccm)，其中，脉冲偏压设定为40～80V；启动CrAl合金靶，在工件内外工作面沉积CrAlN功能膜层，沉积时间25min；4)薄膜沉积完成后，依次关闭弧靶、电源，逐步降温升压至腔室温度100℃以下，取出工件。
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