[发明专利]一种GaAs表面钝化增强石墨烯肖特基结太阳电池性能的方法在审
| 申请号： | 201810096847.2 | 申请日： | 2018-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN108389913A | 公开（公告）日： | 2018-08-10 |
| 发明（设计）人： | 张曙光;温雷;李国强;高芳亮 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/072;H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 陈智英 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于太阳电池的技术领域，公开了一种GaAs表面钝化增强石墨烯肖特基结太阳电池性能的方法。方法为：(1)将一面镀有背电极的GaAs片置于硫醇溶液中，钝化处理，GaAs片未镀有背电极的表面形成钝化膜；(2)将GaAs片中镀有背电极的一面称为下表面，另一面成为上表面；将石墨烯转移至GaAs片的上表面，获得石墨烯层；(3)在石墨烯层上制备正电极。本发明的方法解决了石墨烯和GaAs之间的界面问题，降低了复合速率，提高了石墨烯/GaAs肖特基结太阳能电池的光电转换效率，增强了石墨烯/GaAs肖特基结太阳能电池性能；本发明的方法简单有效，并使电池光电转换效率增强效果明显。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨烯 肖特基结 背电极 光电转换效率 太阳能电池 石墨烯层 上表面 钝化 表面形成 钝化处理 界面问题 硫醇溶液 钝化膜 下表面 正电极 制备 电池 复合 | ||
【主权项】：
1.一种GaAs表面钝化增强石墨烯肖特基结太阳能电池性能的方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)将一面镀有背电极的GaAs片置于硫醇溶液中，钝化处理，GaAs片未镀有背电极的表面形成钝化膜；所述硫醇为18硫醇或12硫醇；(2)将GaAs片中镀有背电极的一面称为下表面，另一面成为上表面；将石墨烯转移至GaAs片的上表面，获得石墨烯层；(3)在石墨烯层上制备正电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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