[发明专利]一种掩埋AlGaInAs DFB激光器的制作方法

摘要

本发明涉及光电子技术领域，提供了一种掩埋AlGaInAs DFB激光器的制作方法，包括S1～S8八个步骤。本发明的一种掩埋AlGaInAs DFB激光器的制作方法，通过采用非选择性湿法腐蚀和选择性湿法腐蚀相结合的方法，无需使用高温离子刻蚀设备，制作工艺简单，成本较低，同时避免高温离子刻蚀带来的损伤，保证有源层AlGaInAs无损伤缺陷，降低AlGaInAs氧化的风险，同时在电流阻挡层生长前通过高温热处理消除AlGaInAs侧向的氧化薄层，保证后续电流阻挡层的生长质量，以实现高可靠性的AlGaInAs DFB激光器。

主权项

1.一种掩埋AlGaInAs DFB激光器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：S1，在N型磷化铟衬底上依次生长N型InP缓冲层、多量子阱结构、P型InP层、InGaAsP光栅层及InP光栅层，制得外延片；S2，在所述外延片的外表面涂覆光刻胶，该光刻胶作为保护层，对光刻胶进行一次处理后获得分布反馈布拉格光栅，接着对该光刻胶进行二次处理，形成光栅图形；S3，将涂覆了光刻胶并经过处理后的外延片进行光栅掩埋生长，依次获得P型InP层及本征InGaAsP层；S4，于所述本征InGaAsP层采用掩膜层进行脊形掩膜光刻，形成脊条和掩膜区域，并通过非选择性湿法腐蚀液和选择性腐蚀液进行脊形腐蚀，以形成两个凹槽；S5，对两个凹槽进行650～750℃的高温处理，从而在每一凹槽靠近底部处生长第一电流阻挡层，在每一凹槽靠近顶部处生长第二电流阻挡层，所述第一电流阻挡层为P型InP层，所述第二电流阻挡层为N型InP层；S6，将腐蚀后所述脊条上形成的介质膜去除，并采用InGaAsP选择性腐蚀液来腐蚀本征InGaAsP层，并在两个所述凹槽的所述第二电流阻挡层上依次外延生长P型InP覆盖层和P型InGaAs接触层；S7，再次采用光刻胶作为掩膜层，并对S6步骤中获得的整体进行非选择性腐蚀，以形成双沟；S8，完成非选择性腐蚀后，在整体的顶部生长二氧化硅或氮化硅介质膜，并进行P面电极制作，N面减薄及电极制作，解理，以及端面镀膜。