[发明专利]一种独立控温的用于可靠性测试的测试结构及其测试方法有效
| 申请号： | 201810096981.2 | 申请日： | 2018-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN108375722B | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 吴奇伟;尹彬锋;周柯 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201200 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种独立控温的用于可靠性测试的测试结构及其测试方法，测试结构包括两片多晶硅，平行设置；一待测结构，设置于所述两片多晶硅的间距的中间点；两二极管温度传感器，对称设置于所述待测结构的两侧，也位于两片多晶硅的间距的中间点。本发明的独立控温的用于可靠性测试的测试结构及其测试方法，能实现待测结构温度的独立控制，可以有效的缩减整个测试的测试时间，降低重测率，提高测试效率，且可扩大高温晶圆级测试的适用场合，调制通过多晶硅的电流产生焦耳热，使得多晶硅温度线性增加。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 独立 用于 可靠性 测试 结构 及其 方法 | ||
【主权项】：
1.一种独立控温的用于可靠性测试的测试结构，其特征在于：包括两片多晶硅，平行设置；一待测结构，设置于所述两片多晶硅的间距的中间点；两二极管温度传感器，对称设置于所述待测结构的两侧，也位于两片多晶硅的间距的中间点。
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