[发明专利]薄膜电池的制造方法有效
申请号: | 201810097035.X | 申请日: | 2018-01-31 |
公开(公告)号: | CN108447800B | 公开(公告)日: | 2019-12-10 |
发明(设计)人: | 刘德臣;杨立红;陈涛;李新连 | 申请(专利权)人: | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L31/18 |
代理公司: | 11606 北京华进京联知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王赛 |
地址: | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种薄膜电池的制备方法,当所述第一基板发生损坏时,将未发生损坏的区域切割下来放入承载件的卡槽中,并通过承载件将多个第一基板未发生损坏的区域拼接成与一个所述第一基板对应的拼接基板,在进入后续工艺流程时,可以采用与第一基板相同的工艺程序和参数进行后续的制备,既不会对后续的工艺流程产生影响,又避免了材料的浪费,提高了材料的利用率,提高了薄膜电池的生产良率,并且降低了制造成本。本发明还提供一种非标准薄膜电池的制备方法。 | ||
搜索关键词: | 薄膜电池 第一基板 制备 工艺流程 承载件 工艺程序 拼接基板 区域拼接 区域切割 制造成本 非标准 放入 良率 制造 生产 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜电池的制造方法,包括:/nS1,提供设置有多个电池制备区的第一基板并根据所述第一基板选择承载件,所述承载件具有与所述第一基板的形状和尺寸相匹配的容纳腔,所述容纳腔被分隔为多个卡槽,所述多个卡槽分别与整数倍的连续的所述电池制备区的形状和尺寸相匹配,每一所述卡槽均具有一用于制备所述薄膜电池的膜层的开口;/nS2,判断所述第一基板是否发生损坏,若是,则进入步骤S3,若否,则进入步骤S5;/nS3,判断所述第一基板上是否存在未损坏的、连续的且与所述多个卡槽中任一空卡槽的形状和尺寸相匹配的区域,若是,则进入步骤S4,若否,则所述第一基板弃用;/nS4,将所述未损坏的、连续的且与所述空卡槽的形状和尺寸相匹配的区域从所述第一基板上切割下来,得到第二基板,将所述第二基板放入所述空卡槽中,判断所述多个卡槽是否均设置有所述第二基板,若是,则进入步骤S5,若否,则使所述承载件返回步骤S1;/nS5,在所述第一基板或所述承载件上进行后续工艺流程。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造