[发明专利]一种石墨烯-GaAs肖特基结太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明属于太阳能电池的技术领域，公开了一种石墨烯‑GaAs肖特基结太阳能电池及其制备方法。太阳能电池由下至上依次包括背电极、GaAs片、空穴传输层、石墨烯层、正电极；还包括钝化膜层。方法：(1)在GaAs片的一面镀上背电极，将GaAs片中镀有背电极的一面称为下表面，另一面称为上表面；在GaAs片的上表面镀上空穴传输层；或在镀空穴传输层之前，将镀有背电极的GaAs片置于钝化剂中钝化处理，形成钝化膜；(2)将石墨烯转移至空穴传输层上，获得石墨烯层；(3)在石墨烯层上制备正电极。本发明加入空穴传输层，减少电子和空穴的复合，增大光生电流，实现太阳能电池高的光电转换效率；本发明的方法简单，成本低。

主权项

1.一种具备空穴传输层的石墨烯‑GaAs肖特基结太阳能电池，其特征在于：由下至上依次包括背电极、GaAs片、空穴传输层、石墨烯层、正电极。