[发明专利]一种掩膜版、显示基板及其制作方法和显示装置在审
申请号: | 201810097795.0 | 申请日: | 2018-01-31 |
公开(公告)号: | CN108267926A | 公开(公告)日: | 2018-07-10 |
发明(设计)人: | 胡海峰;张明;丁贤林;马伟杰;刘欢 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | G03F1/30 | 分类号: | G03F1/30;H01L21/027 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;胡影 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种掩膜版、显示基板及其制作方法和显示装置,该制作方法包括:在基底上形成膜层和光刻胶层;对光刻胶层进行曝光并显影,形成光刻胶图形,光刻胶图形包括第一光刻胶图形和第二光刻胶图形,第一光刻胶图形对应待形成的膜层图形,第二光刻胶图形位于第一光刻胶图形的至少相对的两侧,与第一光刻胶图形间隔设置;对待构图的膜层进行湿刻,使得第一光刻胶图形和第二光刻胶图形之间的膜层被刻蚀,第二光刻胶图形下方的膜层从基底上脱离,第一光刻胶图形下方的膜层形成膜层图形。采用上述方法形成的膜层图形,能够避免底切问题,从而提高了显示产品良率及性能。 | ||
搜索关键词: | 光刻胶图形 膜层 膜层图形 显示基板 显示装置 掩膜版 基底 制作 光刻胶层 间隔设置 显示产品 刻胶层 底切 刻蚀 良率 显影 曝光 脱离 | ||
【主权项】:
1.一种掩膜版,其特征在于,用于形成显示基板上的膜层图形,所述掩膜版包括:至少一组掩膜图形,每一组所述掩膜图形包括:对应所述膜层图形的第一图形,以及位于所述第一图形的至少相对的两侧的第二图形,所述第二图形与所述第一图形间隔设置,所述第二图形在其延伸方向上的线宽大于或等于所述第一图形在同一方向上的线宽,所述第二图形在与其延伸方向垂直的方向上的线宽小于预设阈值,所述第一图形和第二图形均为透光图形或不透光图形。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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