[发明专利]一种富碳先驱体陶瓷的制备方法及制得的富碳先驱体陶瓷有效

专利信息
申请号: 201810097876.0 申请日: 2018-01-31
公开(公告)号: CN108329034B 公开(公告)日: 2019-06-28
发明(设计)人: 李金平;周耀强;易法军;孟松鹤;李卓芸;解维华;金华;方国东;许承海 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: C04B35/565 分类号: C04B35/565;C04B35/582;C04B35/584
代理公司: 北京格允知识产权代理有限公司 11609 代理人: 李亚东;周娇娇
地址: 150001 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 发明涉及一种富碳先驱体陶瓷的制备方法及制得的富碳先驱体陶瓷,所述方法包括:将碳源与含Si‑H键的聚硅聚合物混合均匀,得到混合液;将得到的混合液在65~80℃的条件下保温10~20h,得到混合料;将得到的混合料进行固化,得到固化产物;将得到的固化产物依次进行粉碎、研磨和过筛,得到固化产物的粉末,然后将所述粉末进行压制成型,得到先驱体;将得到的先驱体进行烧结,制得富碳先驱体陶瓷;其中,所述碳源选自由二乙烯基苯、乙烯基乙炔基苯和二乙炔基苯组成的组。本发明方法能够显著提高先驱体陶瓷中碳含量,本发明制备的富碳先驱体陶瓷碳含量高、电导率高。
搜索关键词: 碳先驱体 陶瓷 固化产物 先驱体 制备 混合料 混合液 二乙炔基苯 二乙烯基苯 乙烯基乙炔 电导率 硅聚合物 烧结 研磨 过筛 基苯 固化 保温 自由
【主权项】:
1.一种富碳先驱体陶瓷的制备方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:(1)将碳源与含Si‑H键的聚硅聚合物混合均匀,得到混合液;所述混合是在真空条件下进行的;(2)将步骤(1)得到的混合液在65~80℃的条件下保温10~20h,得到混合料;(3)将步骤(2)得到的混合料进行固化,得到固化产物;所述固化包括初步固化和完全固化;初步固化是在空气气氛中进行的;完全固化是在惰性气氛中进行的;所述初步固化为将步骤(2)得到的混合料在120~130℃的条件下保温2~3h,得到初步固化产物;所述完全固化为将初步固化产物在350~450℃的条件下保温2~6h,得到固化产物;(4)将步骤(3)得到的固化产物依次进行粉碎、研磨和过筛,得到固化产物的粉末,然后将所述粉末进行压制成型,得到先驱体;压制成型的压力为350~500MPa,保压时间为5~8min;(5)将步骤(4)得到的先驱体进行烧结,制得富碳先驱体陶瓷;其中,所述碳源选自由二乙烯基苯、乙烯基乙炔基苯和二乙炔基苯组成的组。
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