[发明专利]基于单对电极电容成像检测技术提离效应的缺陷判别方法

摘要

本发明公开了一种基于单对电极电容成像检测技术提离效应的缺陷判别方法，涉及无损检测信号处理领域，包括：接收输入的单对电极电容成像n次提离检测信号，对所述Ln提离下求缺陷判别畸变率信号ΔYn＝(Yn‑Ybn)/Ybn，并将所述畸变率信号ΔYn输入到低通滤波器；判断低通滤波器输出的ΔYn的绝对值是否大于等于预设阀值P0；如果是，判断有缺陷存在；如果否，判断缺陷不存在；当缺陷存在，判断所述ΔYn是否小于0；如果是，判断缺陷为非导体层表面缺陷；如果否，判断ΔYn是否大于ΔYn‑1；如果是，判断缺陷为非导体层内部缺陷；如果一直不存在ΔYn大于ΔYn‑1，判断缺陷为分界面缺陷。本发明通过对多提离检测信号进行处理，进一步实现实时判别缺陷类型和实现报警。

主权项

1.一种基于单对电极电容成像检测技术提离效应的缺陷判别方法，应用于基于多次提离下单对电极电容成像检测技术的缺陷检测信号，其特征在于，包括：接收输入的单对电极电容成像缺陷检测信号，其中所述单对电极电容成像缺陷检测信号包含有限个依次增大的提离距离(L1

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