[发明专利]膜构件和用于形成膜构件的方法有效
| 申请号： | 201810105212.4 | 申请日： | 2018-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN108383076B | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | A·德厄 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱;张鹏 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 膜构件包括具有导电膜层的膜结构。导电膜层具有悬置区域和膜区域。另外，导电膜层的悬置区域布置在绝缘层上。此外，绝缘层布置在承载基体上。此外，膜构件包括对电极结构。在对电极结构和导电膜层的膜区域之间垂直地布置有空腔。此外，所述导电膜层的边缘以在所述导电膜层和所述对电极结构之间的垂直距离一半以上为幅度横向突出超过所述绝缘层的边缘。此外，所述导电膜层吸收在所述导电膜层的膜区域偏移时而施加在所述膜结构上的90％以上的力。 | ||
| 搜索关键词： | 构件 用于 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种膜构件(100、200、600、700、800、900、1000)，包括：膜结构(110)，所述膜结构包括导电膜层(111)，其中所述导电膜层(111)具有悬置区域(112)和膜区域(112)，其中所述导电膜层(111)的悬置区域(112)布置在绝缘层(120)上，并且其中所述绝缘层(120)布置在承载基体(130)上；以及对电极结构(140)，其中在所述对电极结构(140)和所述导电膜层(111)的膜区域(113)之间垂直地布置有空腔(150)；其中，所述导电膜层(111)的边缘(114)以在所述导电膜层(111)和所述对电极结构(140)之间的垂直距离一半以上为幅度横向突出超过所述绝缘层(120)的边缘(121)，并且其中在所述导电膜层(111)的膜区域(113)偏移时而施加在所述膜结构(110)上的90％以上的力被所述导电膜层(111)吸收。
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