[发明专利]一种具有优异循环稳定性的Si1-xMx复合薄膜负极的制备方法在审
申请号: | 201810105797.X | 申请日: | 2018-01-31 |
公开(公告)号: | CN108417817A | 公开(公告)日: | 2018-08-17 |
发明(设计)人: | 刘江文;毛亚雄;颜亮;胡仁宗;杨黎春;刘军;朱敏 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | H01M4/38 | 分类号: | H01M4/38;H01M4/04 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 何淑珍;冯振宁 |
地址: | 510640 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种具有优异循环稳定性的Si1‑xMx复合薄膜负极的制备方法。该制备方法选用Si1‑xMx合金靶材作为靶材原料,并结合磁控溅射工艺和热处理工艺,制备得到具有优异循环稳定性的Si1‑xMx复合薄膜负极。本发明方法选用Si1‑xMx合金靶材作为靶材原料制备循环稳定性优异的Si1‑xMx复合薄膜负极,薄膜中Si与M的原子比与Si1‑xMx合金靶材的原子比非常接近,即能够通过靶材获得所需要的成分配比,而且薄膜中合金元素分布均匀;同时,热处理能有效缓解薄膜中的应力应变,且热处理的温度较低,耗能小,整体工艺简单,制备过程参数稳定,对设备要求较低,可重复性好。 | ||
搜索关键词: | 制备 循环稳定性 负极 复合薄膜 合金靶材 薄膜 热处理 靶材原料 原子比 磁控溅射工艺 热处理工艺 参数稳定 成分配比 可重复性 应力应变 有效缓解 元素分布 整体工艺 制备过程 对设备 中合金 靶材 耗能 | ||
【主权项】:
1.一种具有优异循环稳定性的Si1‑xMx复合薄膜负极的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)采用磁控溅射镀膜机,将Cu箔作为集流体粘贴在基板上,再将Si1‑xMx合金靶材安装在靶位上,然后抽真空、通入高纯Ar,开始进行磁控溅射;(2)溅射结束后,将镀在Cu的Si1‑xMx复合薄膜箔取下,置于真空干燥箱中进行热处理;热处理结束后,冷至室温,得到所述具有优异循环稳定性的Si1‑xMx复合薄膜负极。
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