[发明专利]半导体器件、制作其的方法和加强其中的管芯的方法在审
| 申请号： | 201810105995.6 | 申请日： | 2018-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN108461474A | 公开（公告）日： | 2018-08-28 |
| 发明（设计）人： | E.迈尔斯;V.维瓦雷斯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 胡莉莉;申屠伟进 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件、制作其的方法和加强其中的管芯的方法。一种半导体器件可包括：管芯，所述管芯包括第一主面、第二主面和侧面，所述侧面连接第一主面和第二主面；至少一个传导柱，所述至少一个传导柱布置在所述管芯的第一主面上并且电耦合到所述管芯；以及绝缘体，所述绝缘体布置在所述管芯的第一主面上，所述绝缘体包括上主面和侧面，其中所述至少一个传导柱被暴露在所述绝缘体的上主面上，并且其中所述管芯的侧面和所述绝缘体的侧面是共面的。 | ||
| 搜索关键词： | 管芯 绝缘体 主面 半导体器件 传导柱 侧面 侧面连接 电耦合 制作 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其包括：管芯，所述管芯包括第一主面、第二主面和侧面，所述侧面连接所述第一主面和所述第二主面；至少一个传导柱，所述至少一个传导柱布置在所述管芯的所述第一主面上，所述至少一个传导柱通过镀敷工艺来沉积并且电耦合到所述管芯；以及绝缘体，所述绝缘体布置在所述管芯的所述第一主面上，其中所述绝缘体包括上主面和侧面，并且所述绝缘体的所述上主面与所述至少一个传导柱的顶面共面；以及布置在所述至少一个传导柱的所述顶面上的金属层；其中，所述管芯的所述侧面和所述绝缘体的所述侧面是共面的。
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