[发明专利]垂直型半导体器件及其制造方法和操作方法有效
| 申请号： | 201810106369.9 | 申请日： | 2013-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN108417236B | 公开（公告）日： | 2022-03-15 |
| 发明（设计）人： | 崔康植 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;H01L27/22;H01L27/24;H01L45/00;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 厉锦;王建国 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种垂直型半导体器件及其制造和操作方法。垂直型半导体器件包括：柱体结构，其具有导电层和数据储存材料的层叠结构；栅电极，其被形成为包围所述柱体结构的所述数据储存材料；以及互连层，其与所述柱体结构电连接且被设置在所述柱体结构上。所述操作方法包括以下步骤：响应于初始化命令而将用于将数据储存材料改变成高电阻状态的电压施加至所述栅电极和所述互连层。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 半导体器件 及其 制造 方法 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种操作垂直型半导体器件的方法，所述垂直型半导体器件包括：柱体结构，所述柱体结构具有导电层和数据储存材料的层叠结构；栅电极，所述栅电极被形成为包围所述柱体结构的所述数据储存材料；以及互连层，所述互连层与所述柱体结构电连接且被设置在所述柱体结构上，所述方法包括以下步骤：响应于初始化命令而将用于将数据储存材料改变成高电阻状态的电压施加至所述栅电极和所述互连层。
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