[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201810107342.1 | 申请日： | 2018-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN108470731A | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | 妹尾贤;宫田征典 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H03K17/081 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 何冲;黄隶凡 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够抑制对感测二极管施加过电压的半导体装置。该半导体装置包括：半导体基板；配置在所述半导体基板的上方的上方主电极；配置在所述半导体基板的上方的感测阳极电极；第一电阻层；以及配置在所述半导体基板的下方的下方主电极。所述第一电阻层配置在所述半导体基板的上方，具有大于所述上方主电极以及所述感测阳极电极的电阻率，并连接所述上方主电极和所述感测阳极电极。所述半导体基板包括开关元件和感测二极管。所述开关元件连接在所述上方主电极和所述下方主电极之间。所述感测二极管包括：p型的第一阳极区域，其与所述感测阳极电极连接；以及n型的第一阴极区域，其与所述下方主电极连接。 | ||
| 搜索关键词： | 主电极 半导体基板 感测 阳极电极 半导体装置 二极管 开关元件 配置 电阻层 阳极区域 阴极区域 电阻率 过电压 施加 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置,其特征在于，包括：半导体基板；上方主电极，其配置在所述半导体基板的上方；感测阳极电极，其配置在所述半导体基板的上方；第一电阻层，其配置在所述半导体基板的上方，具有大于所述上方主电极和所述感测阳极电极的电阻率，并连接所述上方主电极和所述感测阳极电极；以及下方主电极，其配置在所述半导体基板的下方，所述半导体基板包括开关元件和感测二极管，所述开关元件连接在所述上方主电极和所述下方主电极之间，所述感测二极管包括：p型的第一阳极区域，其与所述感测阳极电极连接；以及n型的第一阴极区域，其与所述下方主电极连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
