[发明专利]一种可逆相变材料高密度存储装置有效
申请号: | 201810108166.3 | 申请日: | 2018-02-02 |
公开(公告)号: | CN108320758B | 公开(公告)日: | 2019-12-20 |
发明(设计)人: | 原续鹏;阮昊 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
主分类号: | G11B7/243 | 分类号: | G11B7/243;G11B7/127;G11B7/1372;G11B7/128 |
代理公司: | 31317 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人: | 张宁展 |
地址: | 201800 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种基于双光束超分辨技术的可逆相变材料高密度存储装置,包括衍射受限的激发光生成组件用于引发光记录;中心光强为零的抑制光生成组件用于抑制光记录;光盘组件中光盘的记录层由半导体合金相变材料构成,在激光的作用下相变材料发生晶相和非晶相之间的可逆变换,导致材料的反射率、折射率等发生相应的可逆变化,能实现信息的超分辨记录;将发光离子掺杂到相变材料中,在合适波长激发光诱导下发出荧光,能实现记录信息的超分辨读出。本发明的基于双光束超分辨技术的可逆相变材料高密度存储装置及方法能实现超分辨读写的功能,解决了因衍射极限的约束而无法继续提升光盘存储容量的问题。 | ||
搜索关键词: | 超分辨 高密度存储装置 可逆相变材料 相变材料 光生成组件 光记录 双光束 光盘存储容量 半导体合金 发光离子 光盘组件 合适波长 记录信息 可逆变化 可逆变换 衍射极限 中心光强 反射率 非晶相 激发光 记录层 折射率 荧光 读写 受限 衍射 读出 掺杂 激光 诱导 光盘 激发 记录 | ||
【主权项】:
1.一种可逆相变材料高密度存储装置,其特征在于:包括:/n激发光生成组件,用于引发相变材料光记录;/n抑制光生成组件,用于抑制相变材料光记录;/n二相色透镜,用于反射激发光透射抑制光;/n光盘组件,用于实现光盘相变材料上的超分辨写入和读出;/n所述激发光生成组件包括第一激光光源,以及沿第一激光光源传输方向依次放置的第一聚焦透镜、第二聚焦透镜、第一二分之一波片和反射镜;所述抑制光生成组件包括第二激光光源,以及沿第二激光光源传输方向依次放置的第三聚焦透镜、第四聚焦透镜、第二二分之一波片、涡旋相位板、锥棱镜和第五聚焦透镜;所述光盘组件包括偏振分束片、四分之一波片、物镜、光盘、第六聚焦透镜和CCD;/n所述的第一激光光源的输出光依次经第一聚焦透镜、第二聚焦透镜和第一二分之一波片后,入射到所述的反射镜,经该反射镜反射;所述的第二激光光源的输出光依次经第三聚焦透镜、第四聚焦透镜、第二二分之一波片、涡旋相位板和锥棱镜后,入射到所述的第五聚焦透镜,经该第五聚焦透镜透射的透射光与经反射镜反射的反射光合束后,入射到所述的偏振分束片,经该偏振分束片透射后,依次经所述的四分之一波片和物镜后,入射到所述的光盘,经该光盘反射,原路返回依次经物镜和四分之一波片后入射到所述的偏振分束片,经该偏振分束片反射后经第六聚焦透镜被所述的CCD接收。/n
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