[发明专利]一种单片集成的三质量MEMS电容差分式三轴加速度计的制备方法有效
| 申请号： | 201810108278.9 | 申请日： | 2018-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN108303567B | 公开（公告）日： | 2020-04-24 |
| 发明（设计）人： | 郭小伟;李绍荣;张孔欣;王毅 | 申请（专利权）人： | 扬州杰利半导体有限公司 |
| 主分类号： | G01P15/125 | 分类号： | G01P15/125;B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙) 32283 | 代理人： | 周全;葛军 |
| 地址： | 225008 江苏省扬州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种单片集成的三质量MEMS电容差分式三轴加速度计的制备方法。涉及传感器领域，具体涉及单片集成的三质量MEMS电容差分式三轴加速度计的制备方法。此三轴加速度计三轴有各自的质量块，且将X、Y、Z三轴加速度计集成在单个基片，X、Y轴加速度计分列在Z轴加速度计两边，各个轴向采用平板差分式电容。本发明中的加速度计采用三个质量块，三轴之间交叉干扰最小，稳定性好；X、Y、Z三个方向均采用平板差分式电容检测，检测准确性高；采用SOI硅片工艺，三轴加速度计同时成型，工艺简单，易于批量生产，可重复度高。与现有的单片集成三轴加速度计一样，具有体积小，无需人工校准等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单片 集成 质量 mems 电容 分式 加速度计 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种单片集成的三质量MEMS电容差分式三轴加速度计的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1）、在玻璃衬底的顶面开槽，用于水平轴向加速度计；2）、在玻璃衬底的顶面沉积金属，用于水平和垂直的加速度计的金属接触；3）、SOI硅片从上到下依次包括器件层、埋氧层和操作层，刻蚀SOI硅片的器件层；4）、进一步刻蚀器件层，形成垂直以及水平加速度计的检测质量；5）、将SOI硅片和玻璃衬底键合连接；6）、减薄SOI硅片操作层的厚度；7）、在SOI硅片的操作层上沉积金属，用于垂直轴加速度计的电极接触；8）、掩膜刻蚀SOI硅片的操作层，形成垂直轴加速度计的穿孔顶部电极；9）、刻蚀去掉SOI硅片中的埋氧层；10）、制得三轴加速度计。
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