[发明专利]一种基于界面修饰的钙钛矿发光二极管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于界面修饰的钙钛矿发光二极管及其制备方法。从下到上依次包括ITO透明导电玻璃基片阳极基底、40 nm的PEDOT:PSS空穴传输层、50 nm的钙钛矿发光层、10 nm的IPFB界面修饰层、45 nm的TPBi电子传输层、1 nm的LiF电子注入层和100 nm的Al阴极层。本发明制备的基于界面修饰的钙钛矿发光二极管工艺简单、成本低廉，并且膜表面粗糙度低、结晶性好，适合应用于大面积制备高效的钙钛矿太阳能电池、发光二极管、光敏元件和激光器件。

主权项

1.一种基于界面修饰的钙钛矿发光二极管，从下到上依次包括ITO透明导电玻璃基片阳极基底、空穴传输层、钙钛矿发光层、界面修饰层、电子传输层、电子注入层和阴极层，其特征在于，所述界面修饰层为IPFB。