[发明专利]一种紫外LED芯片的制作方法

摘要

本发明提供了一种紫外LED芯片的制作方法，涉及半导体发光器件领域。此方法采用先定义出紫外LED芯片结构的n型AlGaN欧姆接触区域，生长阻挡层覆盖其它区域，n型AlGaN欧姆接触区域上MOCVD生长薄层n‑GaN/n‑InGaN作为n型欧姆接触层，再制作倒装结构近紫外LED。薄层n‑GaN/n‑InGaN厚度足够薄，而且n‑GaN/n‑InGaN所占据区域小，n‑GaN/n‑InGaN对紫外光吸收极小，对发光效率影响不大。本发明可有效降低n‑AlGaN欧姆接触的退火温度，避免高温退火带来的工艺问题，具有方法简单、成本低廉、可以精确控制n‑GaN/n‑InGaN生长区域等优点，适合大规模生产。

主权项

1.一种紫外LED芯片的制作方法，其特征在于，其包括：在衬底上依次外延生长u‑GaN层或者u‑AlGaN层、n‑AlGaN层、多量子阱层以及p‑AlGaN层；通过光刻和干法刻蚀去除部分区域的所述p‑AlGaN层、所述多量子阱和部分的n‑AlGaN，露出n‑AlGaN层表面，形成n接触孔；生长一层生长阻挡层，且光刻腐蚀所述n接触孔上的所述生长阻挡层，露出所述n‑AlGaN层表面；在所述n‑AlGaN层表面采用MOCVD方法生长薄层的高掺n‑GaN或者n‑InGaN，且腐蚀去除所述生长阻挡层；在所述p‑AlGaN层的表面制作一层p型欧姆接触金属层，且进行退火，所述p型欧姆接触金属层的金属既是欧姆接触层金属也是反射镜层金属；在所述p型欧姆接触金属层的表面制备一层能够将所述p型欧姆接触金属层包覆在其内部的金属阻挡层；通过剥离的方法在所述n接触孔表面蒸镀n型欧姆接触金属层，并退火；在所述金属阻挡层与所述n型欧姆接触金属层之间的侧壁制备一层第一绝缘层，在所述绝缘层上光刻出接触区域，并腐蚀去除所述接触区域的所述第一绝缘层，且利用去除了所述第一绝缘层的接触区域制备倒装结构紫外LED芯片或倒装薄膜结构紫外LED芯片。