[发明专利]基于电荷调控及自适应消散的新型盆式绝缘子在审
| 申请号： | 201810111080.6 | 申请日： | 2018-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN108063028A | 公开（公告）日： | 2018-05-22 |
| 发明（设计）人： | 何金良;胡军;李传扬;林川杰;李琦;张波 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01B17/40 | 分类号： | H01B17/40 |
| 代理公司： | 重庆百润洪知识产权代理有限公司 50219 | 代理人： | 刘立春 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种基于电荷调控及自适应消散的新型盆式绝缘子,包括绝缘区和自适应消散区，所述绝缘区位于所述自适应消散区的底端，所述绝缘区和自适应消散区的浇注材料中均掺杂碳化硅颗粒。其有益效果是：可以保证绝缘区与自适应消散区交界面上的电场分布能够平滑的过度，消除电场畸变点，从而在自适应调控电荷的基础上，提高运行稳定性。另外，绝缘区少量的掺杂不会提高本体泄漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 电荷 调控 自适应 消散 新型 绝缘子 | ||
【主权项】：
1.一种基于电荷调控及自适应消散的新型盆式绝缘子,包括绝缘区(1)、自适应消散区(2)，所述绝缘区(1)位于所述自适应消散区(2)的底端，其特征在于，所述绝缘区(1)、自适应消散区(2)的浇注材料中均掺杂微米级碳化硅颗粒。
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