[发明专利]一种性能可调控且稳定性高的阻变存储器在审
| 申请号： | 201810114114.7 | 申请日： | 2018-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN108258113A | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | 王营;叶志;刘妮;刘旸 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310013 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种性能可调控且稳定性高的阻变存储器，自上而下依次为衬底、底电极、阻变层、顶电极，其特征在于，所述阻变存储器还包括导电氧化物薄膜，设置于底电极与阻变层之间、顶电极与阻变层之间、或同时设置于底电极与阻变层之间和顶电极与阻变层之间，通过改变导电氧化物薄膜的厚度和氧空位的含量实现对阻变存储器的激活电压和阻止比的调控。该阻变存储器提高了阻变存储器的稳定性，且可以调控阻变存储器的阻变性能。 | ||
| 搜索关键词： | 阻变存储器 阻变层 底电极 顶电极 导电氧化物薄膜 可调控 激活电压 氧空位 变性 衬底 调控 | ||
【主权项】：
1.一种性能可调控且稳定性高的阻变存储器，自上而下依次为衬底、底电极、阻变层、顶电极，其特征在于，所述阻变存储器还包括透明导电氧化物薄膜，设置于底电极与阻变层之间、顶电极与阻变层之间、或同时设置于底电极与阻变层之间和顶电极与阻变层之间，通过改变导电氧化物薄膜的厚度和氧空位的含量实现对阻变存储器的激活电压和阻值比的调控。
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