[发明专利]晶片研磨系统

摘要

本发明涉及借助于利用了多重波长光的相位差检测的晶片研磨系统，在位于研磨头的邻接的第一压力腔与第二压力腔下侧的第一基准位置和第二基准位置，接收光干涉信号，在位于第一基准位置与第二基准位置之间的连接位置也接收光干涉信号，合算邻接的位置之间的相位差，获得在第一基准位置与第二基准位置的晶片研磨层厚度偏差信息，从而即使在研磨工序中不算出晶片研磨层的厚度，也能够在研磨结束时间点均匀地控制晶片研磨层的厚度分布。

主权项

1.一种晶片研磨系统，形成有透光性材质的研磨层，其特征在于，包括：研磨头，具备包括第一压力腔和第二压力腔的多个压力腔，通过调节所述压力腔的压力，在研磨工序中将位于下侧的所述晶片加压于研磨垫；光照射部，用于向所述晶片的研磨层照射光；光接收部，用于接收从所述研磨层反射的光干涉信号，且接收从所述第一压力腔下侧的第一基准位置反射的第一光干涉信号、从所述第二压力腔下侧的第二基准位置反射的第二光干涉信号、从所述第一基准位置与所述第二基准位置之间的一个以上的连接位置反射的连接光干涉信号，根据从所述光接收部接收的光干涉信号的相位差，获得在所述第一基准位置与所述第二基准位置上的晶片厚度偏差信息。