[发明专利]光掩模在审
| 申请号： | 201810118123.3 | 申请日： | 2018-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN109212894A | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 王祥保;章勋明 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/62 | 分类号： | G03F1/62 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云;张福根 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 在一实施例中，光掩模包括：基板，位于第一导电层上，且基板的组成为低热膨胀材料；第二导电层，位于第一导电层上；反射膜堆叠，位于基板上；盖层，位于反射膜堆叠上；吸收层，位于盖层上；以及抗反射层，位于吸收层上，其中抗反射层与吸收层具有多个开口于第一区中以露出盖层，其中抗反射层、吸收层、盖层、与反射膜堆叠具有沟槽于第二区中以露出第二导电层。 | ||
| 搜索关键词： | 吸收层 盖层 抗反射层 反射膜 堆叠 基板 第二导电层 第一导电层 光掩模 低热膨胀材料 第一区 开口 | ||
【主权项】：
1.一种光掩模，包括：一基板，位于一第一导电层上，且该基板的组成为低热膨胀材料；一第二导电层，位于该第一导电层上；一反射膜堆叠，位于该基板上；一盖层，位于该反射膜堆叠上；一吸收层，位于该盖层上；以及一抗反射层，位于该吸收层上，其中该抗反射层与该吸收层具有多个开口于一第一区中以露出该盖层，其中该抗反射层、该吸收层、该盖层、与该反射膜堆叠具有一沟槽于一第二区中以露出该第二导电层。
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- 专利分类
G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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