[发明专利]一种在二维过渡金属碲化物上制备金纳米粒子的方法在审
| 申请号： | 201810119514.7 | 申请日： | 2018-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN110117771A | 公开（公告）日： | 2019-08-13 |
| 发明（设计）人： | 刘晶;张荣杰 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C23C14/18 | 分类号： | C23C14/18;C23C14/30;C23C14/58;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙) 12214 | 代理人： | 王秀奎 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在过渡金属碲化物(MTe2)上制备金纳米粒子的方法。该方法是通过在层状XTe2薄片上用电子束气相沉积方式沉积一层纳米级别的金，在350℃退火后可以于XTe2上形成金纳米粒子。该方法通过高温退火直接在MTe2上形成金纳米粒子，相比于用别的方式制备的金纳米粒子，该方法具有制备样品均匀性好，密度可控，金纳米粒子与MTe2间的耦合力更强等优势，对于研究金纳米粒子与二维材料之间光学和电学性质具有参考价值。 | ||
| 搜索关键词： | 金纳米粒子 制备 过渡金属碲化物 电子束 光学和电学性质 退火 样品均匀性 二维材料 高温退火 纳米级别 气相沉积 耦合力 二维 可控 沉积 参考 研究 | ||
【主权项】：
1.一种在二维过渡金属碲化物上制备金纳米粒子的方法，其特征在于，一种在二维过渡金属碲化物(MTe2)上制备金纳米粒子的方法，包括以下步骤：步骤1,将纳米级厚度的过渡金属碲化物薄片转移到基片上；步骤2，在过渡金属碲化物薄片上沉积金薄膜；步骤3，将步骤1所得的样品进行退火处理：自室温20℃～30℃，以5～15℃/s的速度升温至300℃～400℃，保温20～40min后，自然冷却。
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