[发明专利]一种反极性AlGaInP四元LED芯片的制备方法有效
| 申请号： | 201810121564.9 | 申请日： | 2018-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN110120443B | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 李晓明;单立英;任忠祥;徐现刚;肖成峰 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/38 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 杨树云 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种反极性AlGaInP四元LED芯片的制备方法，包括：(1)在反极性AlGaInP四元LED外延片的P面上依次制备P面欧姆接触层、电流阻挡层；(2)键合到单晶导电Si衬底或蓝宝石衬底；(3)去除GaAs衬底、阻挡层，制备N面欧姆接触电极图形，包括规则分布且依次通过线状电极图形连接的若干小单元；(4)去除4个小单元与周围小单元电极图形连接的线状电极图形；(5)对4个小单元进行点测，根据客户需求组合若干个小单元电极图形，根据组合后电极图形大小去除不需要保留小单元电极图形之间的线状电极图形，对档率较高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 极性 algainp led 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种反极性AlGaInP四元LED芯片的制备方法，其特征在于，包括：(1)在反极性AlGaInP四元LED外延片的P面上依次制备P面欧姆接触层、电流阻挡层；所述反极性AlGaInP四元LED外延片由下自上依次包括GaAs衬底、阻挡层、不透光外延层、N型AlGaInP层、反极性四元LED外延层；(2)将步骤(1)生成的外延片键合到单晶导电Si衬底或蓝宝石衬底；(3)去除所述GaAs衬底、所述阻挡层，在所述不透光外延层上制备N面欧姆接触电极图形，所述N面欧姆接触电极图形包括规则分布且依次通过线状电极图形连接的若干小单元；其中的4个小单元位于同心圆中任意两条垂直的直径与该同心圆的四个交点上，所述同心圆是外延片的同心圆；(4)去除所述4个小单元与周围小单元连接的线状电极图形；(5)使用时，对所述4个小单元进行点测，通过点测数据对标客户需求，根据客户需求组合若干个小单元，根据组合需要去除不需要保留的小单元之间的线状电极图形，制得反极性AlGaInP四元LED芯片。
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