[发明专利]一种双极性双稳态忆阻器及其制备方法有效
| 申请号： | 201810122783.9 | 申请日： | 2018-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN108281548B | 公开（公告）日： | 2019-09-03 |
| 发明（设计）人： | 姜超;余延涛;黄小忠;王春齐;岳建岭;杜作娟;蒋礼 | 申请（专利权）人： | 中南大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 长沙永星专利商标事务所(普通合伙) 43001 | 代理人： | 周咏 |
| 地址： | 410083 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明的目的是公开一种双极性双稳态忆阻器，其包括上电极、下电极以及两电极之间的阻态转变层，其阻态转变层由二氧化钛纳米线阵列和涂布于纳米线阵列上的二氧化钛薄膜构成。本发明的阻态转变层是由二氧化钛纳米线和二氧化钛薄膜构成，二氧化钛纳米线具有高密度特性，制备成为忆阻器，可实现忆阻器的高密度存储，提高忆阻器的响应速度，降低忆阻器的功耗；在二氧化钛纳米线涂布一层二氧化钛薄膜，可避免纳米线参差不齐，与金属上电极接触不充分而引起的漏电流，从而提高忆阻器稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 忆阻器 二氧化钛纳米线 二氧化钛薄膜 阻态转变 双极性 双稳态 电极 制备 二氧化钛纳米线阵列 高密度存储 金属上电极 纳米线阵列 密度特性 漏电流 纳米线 下电极 功耗 响应 | ||
【主权项】：
1.一种双极性双稳态忆阻器，包括上电极、下电极以及两电极之间的阻态转变层，其特征在于，所述的阻态转变层由二氧化钛纳米线阵列和涂布于纳米线阵列上的二氧化钛薄膜构成；其制备方法包括以下步骤：1）将FTO下电极清洗干净后，置于反应釜中，加入钛酸四丁酯的酸溶液，进行水热反应，反应完成并清洗干净后，得到生长了二氧化钛纳米线阵列的FTO电极；2）在步骤1）二氧化钛纳米线阵列上涂布一层二氧化钛薄膜，然后在二氧化钛薄膜上制备一层金属上电极，即得忆阻器样件；3）将步骤2）获得的忆阻器样件置于弱还原气氛中进行热处理，得到双极性双稳态忆阻器。
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