[发明专利]一种FePt-MgO磁记录薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201810123460.1 | 申请日： | 2018-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN110120232B | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 李国庆;张浩然;杨真艳;谭兴文 | 申请（专利权）人： | 西南大学 |
| 主分类号： | G11B5/851 | 分类号： | G11B5/851 |
| 代理公司： | 重庆华科专利事务所 50123 | 代理人： | 康海燕 |
| 地址： | 400715*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种FePt‑MgO磁记录薄膜及其制备方法，包括基片、沉积于所述基片上的垫层和沉积于所述垫层上的磁性层，所述基片为Si基片，所述垫层为MgO垫层，所述磁性层包括MgO嵌裹层和嵌裹于所述MgO嵌裹层中的FePt纳米台阵列，FePt纳米台一端固定在MgO垫层上，另一端伸出MgO嵌裹层。其矫顽力较大，磁稳定性好，能够提高存储密度，减小器件尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 fept mgo 记录 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种FePt‑MgO磁记录薄膜，包括基片、沉积于所述基片上的垫层和沉积于所述垫层上的磁性层，其特征在于：所述基片为Si基片，所述垫层为MgO垫层，所述磁性层包括MgO嵌裹层和嵌裹于所述MgO嵌裹层中的FePt纳米台阵列，FePt纳米台一端固定在MgO垫层上，另一端伸出MgO嵌裹层。
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