[发明专利]硅基OLED的制备方法及硅基OLED显示模组

摘要

本发明提供了一种硅基OLED的制备方法，包括以下步骤：S1、制备若干带有蒸镀像素图形的硅基掩膜版；S2、选取具有相应像素图形的硅基掩膜版；S3、将所述硅基掩膜版与晶圆的对位贴合，并蒸镀对应的OLED功能层膜；S4、OLED功能层膜蒸镀结束后，采用分离技术分离所述硅基掩膜版与所述晶圆；S5、重复步骤S2～S4将制备硅基OLED的其余功能层膜分别蒸镀在所述晶圆上，制得硅基OLED基体；S6、对所述步骤S5中的硅基OLED基体进行封装，硅基OLED的制备结束。本发明的硅基OLED的制备方法及硅基OLED显示模组，减少了CF层的使用及白光OLED的单独制备，使得硅基OLED显示模组的亮度提高了4倍，同时提高了硅基OLED的PPI并简化了硅基OLED的制备工艺。

主权项

1.一种硅基OLED的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、制备若干带有蒸镀像素图形的硅基掩膜版；S2、根据所需蒸镀的OLED功能层膜，选取具有相应像素图形的硅基掩膜版；S3、采用标记定位技术，将所述硅基掩膜版与晶圆的对位贴合，并蒸镀对应的OLED功能层膜；S4、OLED功能层膜蒸镀结束后，采用分离技术分离所述硅基掩膜版与所述晶圆；S5、重复步骤S2～S4将制备OLED的其余功能层膜分别蒸镀在所述晶圆上，制得硅基OLED基体；S6、对所述步骤S5中的硅基OLED基体进行封装，硅基OLED的制备结束。