[发明专利]一种横向氮化镓功率整流器件及其制作方法在审

专利信息
申请号: 201810123813.8 申请日: 2018-02-07
公开(公告)号: CN108365017A 公开(公告)日: 2018-08-03
发明(设计)人: 康玄武;刘新宇;郑英奎;魏珂 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: H01L29/872 分类号: H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329
代理公司: 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 代理人: 张瑾
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种横向氮化镓整流器件,包括:衬底基片、氮化镓层、势垒层、第一介质层,以及第一介质层上方的第二介质层,其中第一介质层的第一端具有贯通第一介质层并截止于势垒层的第一开口,在第一开口内形成有阴极金属;第一介质层的第二端具有贯通第一介质层并截止于势垒层的第二开口,在第二开口处,淀积有第二介质层;第二介质层在第二开口内的底部具有贯通第二介质层并截止于势垒层的第三开口,在第三开口处淀积有阳极金属。本发明还提供一种横向氮化镓整流器件的制作方法。本发明能够使得氮化镓整流器件具有较小的正向开启电压和反向漏电流,避免阳极金属和势垒层的刻蚀损伤,提高器件的可靠性和寿命。
搜索关键词: 介质层 势垒层 氮化镓 开口 整流器件 阳极金属 贯通 开口处 截止 淀积 功率整流器件 反向漏电流 衬底基片 氮化镓层 开启电压 刻蚀损伤 阴极金属 第一端 正向 制作
【主权项】:
1.一种横向氮化镓整流器件,包括:衬底基片,所述衬底基片上方的氮化镓层,所述氮化镓层上方的势垒层,所述势垒层上方的第一介质层,以及所述第一介质层上方的第二介质层,其特征在于:所述第一介质层的第一端具有贯通所述第一介质层并截止于所述势垒层的第一开口,在所述第一开口内形成有阴极金属;所述第一介质层的第二端具有贯通所述第一介质层并截止于所述势垒层的第二开口,在所述第二开口处,淀积有第二介质层;所述第二介质层在所述第二开口内的底部具有贯通所述第二介质层并截止于所述势垒层的第三开口,在所述第三开口内淀积有阳极金属。
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