[发明专利]一种半导体存储器件的校准方法有效
| 申请号： | 201810124368.7 | 申请日： | 2018-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN108231123B | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/02 | 分类号： | G11C29/02 |
| 代理公司： | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人： | 宋珊珊;王珺 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种半导体存储器件的校准方法，包括如下步骤：提供第一控制码；电阻单元根据第一控制码控制电阻值；获取阻抗端点的第一电压；将第一电压分别与第一参考电压和第二参考电压进行比较，进行一级判断步骤，包括判断第一电压是否在目标一级电压区间的范围内，一级电压区间是第一参考电压和第二参考电压将接地到电源电压之间划分为三份形成的，目标一级电压区间是电阻单元的阻值为目标值时阻抗端点的电压所在的一级电压区间；当第一电压不在目标一级电压区间的范围内，则提供第二控制码以获取阻抗端点的第二电压，使第二电压在目标一级电压区间范围内，第二控制码不同于第一控制码。本发明实施例的校准方法校准比较快。 | ||
| 搜索关键词： | 一级电压 控制码 参考电压 校准 阻抗 半导体存储器件 电阻单元 电源电压 控制电阻 判断步骤 接地 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器件的校准方法，其特征在于，包括如下步骤：提供半导体存储器件，所述半导体存储器件包括电阻单元和参考电阻，两者在阻抗端点串联组成串联支路，所述串联支路的一端接地，另一端连接电源；向所述电阻单元提供第一控制码；所述电阻单元根据所述第一控制码控制所述电阻单元的电阻值；获取所述阻抗端点的第一电压；将所述第一电压分别与第一参考电压和第二参考电压进行比较，得到比较结果，其中，所述第一参考电压低于所述第二参考电压；根据所述比较结果，进行一级判断步骤，包括判断所述第一电压是否在目标一级电压区间的范围内，其中，一级电压区间是接地到电源电压之间被所述第一参考电压和所述第二参考电压划分为三份形成的电压区间，所述目标一级电压区间是以所述电阻单元的阻值为目标值时所述阻抗端点的电压所在的一级电压区间；以及当所述第一电压不在所述目标一级电压区间的范围内，则执行一级一类提供控制码的步骤，包括提供第二控制码以获取所述阻抗端点的第二电压，使所述第二电压在所述目标一级电压区间范围内，其中，所述第二控制码不同于所述第一控制码。
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