[发明专利]垂直式晶片与水平式晶片的嵌入型封装结构及其制造方法有效
申请号: | 201810124823.3 | 申请日: | 2018-02-07 |
公开(公告)号: | CN110120353B | 公开(公告)日: | 2023-07-18 |
发明(设计)人: | 璩泽明 | 申请(专利权)人: | 讯忆科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/31;H01L25/065 |
代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人: | 孙皓晨;李林 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种垂直式晶片与水平式晶片的嵌入型封装结构及其制造方法,其包含:一基板,其具有一第一面及相对的一第二面,在该第二面上设有一第一电路层,在该第一面上钻孔成型至少一第一盲孔或至少一第二盲孔,且各盲孔分别穿过该基板厚度而连通至该第一电路层;至少一晶片,其包含垂直式晶片或水平式晶片;其中各晶片分别嵌入设在相对应的各第一盲孔内,并使第二表面上所设的各晶垫能凭借导电材以连结至该基板的第一电路层;之后再设一第二电路层,使设在该垂直式晶片的第一表面上的至少一晶垫能凭借该第二电路层以电性连结至该第一电路层;如此完成一嵌入型封装结构,达成厚度大幅减少、制程相对简化、导电信赖度提升的优点。 | ||
搜索关键词: | 垂直 晶片 水平 嵌入 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种垂直式晶片的嵌入型封装结构,其特征是包含:一基板,其具有一第一面及相对的一第二面,其中在该第二面上设有一第一电路层,在该基板的第一面上钻孔成型至少一第一盲孔及至少一第二盲孔,其中各第一盲孔及各第二盲孔分别由该第一面穿过该基板厚度而连通至该第一电路层;至少一垂直式晶片,各垂直式晶片具有至少二晶垫,其中至少一晶垫设在各垂直式晶片的一第一表面上,而其他至少一晶垫设在相对的第二表面上,各垂直式晶片嵌入于所对应的各第一盲孔内,并使设在第二表面上的各晶垫能凭借导电材以电性连结至该基板的第一电路层;一绝缘层,其覆设在该基板的第一面上,且在该绝缘层上钻孔成型至少一第三盲孔及至少一第四盲孔;其中各第三盲孔穿过该绝缘层厚度而连通至该垂直式晶片的第一表面;其中各第四盲孔贯穿该绝缘层厚度并对应连通至设在该基板上的各第二盲孔,使各第四盲孔与所对应的各第二盲孔能形成一上下连通的一体式盲孔;一第二电路层,其利用电镀技术以成型在该绝缘层的表面上以及各第三盲孔、各第四盲孔与各第二盲孔的内壁面上,使设在该垂直式晶片的第一表面上的各晶垫能凭借该第二电路层以电性连结至该第一电路层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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