[发明专利]气体喷射装置、衬底加工设施以及衬底加工方法在审
申请号: | 201810126635.4 | 申请日: | 2018-02-07 |
公开(公告)号: | CN108573898A | 公开(公告)日: | 2018-09-25 |
发明(设计)人: | 池尙炫;金昌敎 | 申请(专利权)人: | AP系统股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01J37/32 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马爽;臧建明 |
地址: | 韩国京畿道华城市*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种气体喷射装置、包括气体喷射装置的衬底加工设施、及使用衬底加工设施来加工衬底的方法。根据本发明实施例的一种气体喷射装置包括:喷射部件,在衬底的宽度方向上设置并对齐在位于所述衬底的外侧的一侧上,且具有多个喷嘴,所述多个喷嘴用于朝所述衬底喷射气体;以及喷射控制单元,用于自动地控制以下中的至少一者:是否多个喷嘴中的每一者均喷射气体,使得通过所述多个喷嘴喷射的所述气体在所述衬底的所述宽度方向上的气体密度分布变为目标气体密度分布类型。因此,根据本发明的实施例,使用多种类型的工艺类型或多种类型的气体密度分布类型使得易于施行所述工艺,且用于调整所述多个喷嘴的开启或关闭操作的时间可缩短。 | ||
搜索关键词: | 衬底 气体喷射装置 衬底加工 喷嘴 密度分布 喷射气体 喷射控制单元 工艺类型 关闭操作 目标气体 喷射部件 喷嘴喷射 对齐 自动地 加工 | ||
【主权项】:
1.一种气体喷射装置,其特征在于,包括:喷射部件,在衬底的宽度方向上对齐并设置在位于所述衬底的外侧的一侧上,且具有多个喷嘴,所述多个喷嘴被配置成朝所述衬底喷射气体;以及喷射控制单元,被配置成自动地控制以下中的至少一者:所述多个喷嘴中的每一者均喷射气体、以及所述多个喷嘴中的每一者的气体喷射量,使得通过所述多个喷嘴喷射的所述气体在所述衬底的所述宽度方向上的气体密度分布变为目标气体密度分布类型。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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