[发明专利]一种控制大尺寸连铸坯中V偏析的方法有效
| 申请号： | 201810126647.7 | 申请日： | 2018-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN108436049B | 公开（公告）日： | 2019-11-01 |
| 发明（设计）人： | 马晓平;李殿中;曹艳飞;刘宏伟;栾义坤;傅排先;胡小强;康秀红 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | B22D11/16 | 分类号： | B22D11/16;B22D11/115 |
| 代理公司： | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人： | 张志伟 |
| 地址： | 110016 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及黑色金属以及有色金属连铸坯的制备领域，具体为一种控制大尺寸连铸坯中V偏析的方法，适用于黑色金属以及有色金属连铸坯的制备。该方法采用熔体纯净化、高过热度、低水口流速、小水口浸入深度、弱结晶器电磁搅拌、取消末端电磁搅拌、高拉速、施加静磁场以及改变扇形段弧度等复合工艺措施，抑制连铸坯中金属熔体的流动，减轻熔体流动对柱状晶的冲刷碎化，并抑制碎化晶核的存活和运动，从而通过有效控制连铸坯中心等轴晶区的比例和分布，改变连铸坯的补缩方式，减轻大尺寸连铸坯凝固过程中所产生的V偏析，从而可以抑制V偏析的形成，改善铸态缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 连铸坯 偏析 大尺寸连铸坯 黑色金属 电磁搅拌 碎化 制备 连铸坯中心 熔体纯净化 浸入 复合工艺 金属熔体 凝固过程 熔体流动 有效控制 等轴晶 低水口 过热度 静磁场 弱结晶 扇形段 柱状晶 补缩 冲刷 晶核 拉速 水口 铸态 存活 施加 流动 | ||
【主权项】：
1.一种控制大尺寸连铸坯中V偏析的方法，其特征在于，包括如下步骤：1）控制连铸金属熔体的纯净度；2）抑制金属大尺寸连铸坯中金属熔体的流动，减轻熔体流动对柱状晶的冲刷碎化，抑制碎化晶核的运动；3）保持连铸坯中心熔体的高过热度，抑制碎化晶核的存活；4）通过控制连铸坯中心熔体中的晶核数目，调整中心等轴晶区的比例和分布，改变连铸坯中心的补缩方式，减轻V偏析。
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