[发明专利]正面出光的高压LED微显示装置及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201810128152.8 申请日: 2018-02-08
公开(公告)号: CN108565275A 公开(公告)日: 2018-09-21
发明(设计)人: 沈学如 申请(专利权)人: 澳洋集团有限公司
主分类号: H01L27/15 分类号: H01L27/15;H01L33/36;H01L33/04;H01L33/32;G09F9/33
代理公司: 苏州市港澄专利代理事务所(普通合伙) 32304 代理人: 马丽丽
地址: 215600 江苏省苏州市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 本申请公开了一种正面出光的高压LED微显示装置及其制备方法,包括:一衬底;以及集成于所述衬底上的多个发光单元,每个所述发光单元分别包括依次形成于所述衬底上的外延层、ITO薄膜层和SiO2钝化层,所述外延层包括依次形成于所述衬底上的N型GaN层、量子阱层和P型GaN层,还包括:成行排列的多条P电极,每条P电极分别与位于该行的所有发光单元的ITO薄膜层电性连接;成列排列的多条N电极,每条N电极分别与位于该列的所有发光单元的N型GaN层电性连接,所述SiO2钝化层分隔于所述P电极和N电极之间。本发明装置直接作为显示装置,不需要额外的驱动电路,成本低,而且出光率高。
搜索关键词: 发光单元 衬底 微显示装置 电性连接 高压LED 外延层 制备 成行排列 量子阱层 驱动电路 显示装置 出光率 成列 分隔 申请
【主权项】:
1.一种正面出光的高压LED微显示装置,其特征在于,包括:一衬底;以及集成于所述衬底上的多个发光单元,每个所述发光单元分别包括依次形成于所述衬底上的外延层、ITO薄膜层和SiO2钝化层,所述外延层包括依次形成于所述衬底上的N型GaN层、量子阱层和P型GaN层,还包括:成行排列的多条P电极,每条P电极分别与位于该行的所有发光单元的ITO薄膜层电性连接;成列排列的多条N电极,每条N电极分别与位于该列的所有发光单元的N型GaN层电性连接,所述SiO2钝化层分隔于所述P电极和N电极之间。
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