[发明专利]一种等离子刻蚀清洗液、其制备方法和应用有效
申请号: | 201810130649.3 | 申请日: | 2018-02-08 |
公开(公告)号: | CN108375880B | 公开(公告)日: | 2021-11-19 |
发明(设计)人: | 王溯;蒋闯 | 申请(专利权)人: | 上海新阳半导体材料股份有限公司 |
主分类号: | G03F7/42 | 分类号: | G03F7/42 |
代理公司: | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人: | 薛琦;袁红 |
地址: | 201616 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种等离子刻蚀清洗液、其制备方法和应用。所述的等离子刻蚀清洗液,其由下述原料制得,所述原料包含下列组分:分散剂、羟胺类化合物和/或其盐、有机溶剂、缓蚀剂、有机胺、环糊精改性烷撑二醇烷基醚化合物和水。本发明的等离子刻蚀清洗液可用于清洗刻蚀灰化后的半导体芯片,且清洗效果好,长期放置和使用过程中几乎不发生团聚,基本不产生颗粒,且同时对金属和非金属的腐蚀速率较小,具有较好的工业应用推广前景。 | ||
搜索关键词: | 一种 等离子 刻蚀 清洗 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
1.一种等离子刻蚀清洗液,其特征在于,其由下述原料制得,所述原料包含下列组分:分散剂、羟胺类化合物和/或其盐、有机溶剂、缓蚀剂、有机胺、环糊精改性烷撑二醇烷基醚化合物和水;所述的环糊精改性烷撑二醇烷基醚化合物的制备方法包括以下步骤:(1)将烷撑二醇烷基醚化合物和马来酸酐进行反应得到物质A;(2)将步骤(1)中得到的物质A、环糊精和对甲苯磺酸进行反应,即可。
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