[发明专利]一种功率半导体模块过流检测电路的功能测试电路

摘要

本发明提供了一种功率半导体模块过流检测电路的功能测试电路，其用功能测试电路模拟IGBT在过流和不过流两种工况下的射极和集电极之间的饱和压降，从而给过流检测电路制造一种测试环境。其包括定值电阻R1、R4，可变电阻R2、R3、R5，可变电阻R3的两端并联有二极管D1，二极管D1的阴极和可变电阻R3的一端并联后连接第一接入端，所述二极管D1的阳极和可变电阻R3的另一端并联后连接三极管Q3的基极，所述三极管Q3的集电极分别连接定值电阻R4的一端、MOS管Q4的栅极，所述三极管Q3的发射极和所述可变电阻R3的另一端之间设置有电容C1，所述MOS管Q4的源极连接可变电阻R5的一端，所述可变电阻R5的另一端连接和三极管Q3的发射极、电容C1相连接。

主权项

1.一种功率半导体模块过流检测电路的功能测试电路，其特征在于：其包括定值电阻R1、R4，可变电阻R2、R3、R5，可变电阻R3的两端并联有二极管D1，二极管D1的阴极和可变电阻R3的一端并联后连接第一接入端，所述二极管D1的阳极和可变电阻R3的另一端并联后连接三极管Q3的基极，所述三极管Q3的集电极分别连接定值电阻R4的一端、MOS管Q4的栅极，所述三极管Q3的发射极和所述可变电阻R3的另一端之间设置有电容C1，所述MOS管Q4的源极连接可变电阻R5的一端，所述可变电阻R5的另一端连接和三极管Q3的发射极、电容C1相连接，所述可变电阻R2一端和MOS管Q4的漏极相连接，所述可变电阻R2的另一端和可变电阻R5的另一端相连接，所述可变电阻的一端还连接有定值电阻R1的一端，所述定值电阻的另一端和定值电阻R4的另一端连接后连接第二接入端，所述R2的另一端外接第一输出端，所述R2的一端外接第二输出端。